可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
检索规则说明： [&]代表"并且"；[|]代表"或者"；[!]代表"不包含" (运算符两边不需要空格)
检索范例： 范例一：(k=科技[|]k=技术)[&]t=范并思 范例二：t=计算机应用与软件[&](R=C++[|]R=Basic)[!]t=西华师范大学
主办单位：
出版地：
ISSN：
主编：
邮发代号：
中图分类号： 选择
中文会议： 中国职协2017年度优秀科研成果获奖论文集（一二等奖）
会议日期： 2018-04-30
出版日期： 2018-04-30
作 者： ;
机构地区： 杭州萧山技师学院
摘 要： 基于热场发射-扩散模型,研究两相同器件结构的常规和倒置InGaP/GaAs HBT器件的性能差异。结论表明:倒置InGaP/GaAs HBT具有更好的开启电压和高频特性,而常规的InGaP/GaAs HBT具有更高的直流增益和更大的直流电流输出。
关 键 词： 倒置 直流特性 高频特性
领 域： []
