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高介电低损耗聚偏氟乙烯基复合材料的制备及性能研究

中文会议: 2017中国(国际)功能材料科技与产业高层论坛论文集

会议日期: 2017-08-18

会议地点: 中国宁夏银川

主办单位: 中国仪器仪表学会仪表功能材料分会;重庆功能材料期刊社

出版方 : 重庆功能材料期刊社(ChongqingFunctio...

出版日期: 2017-11-30

作  者: ();

机构地区: 成都理工大学材料与化学化工学院

出  处: 《2017中国(国际)功能材料科技与产业高层论坛》

摘  要: 随着电子器件的持续小型化及能量密度的持续增加,人们对材料的性能有了更高,更严格的要求,本文通过溶液混合和旋涂法制备了钛酸钡附载的中空多孔碳球聚偏氟乙烯基复合材料薄膜。当填料含量从0 wt%增加至7 wt%时,介电常数从9.12增加至48.52,介电损耗从0.020增加至0.038,当填料增加至9 wt%时,介电常数高达5×10展示了较高的介电常数和较低的介电损耗,结果表明此方法可以提高聚合物的介电常数并适用于其他碳杂化材料。

关 键 词: 中空多孔碳球 钛酸钡 复合材料 介电性能

领  域: []

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