中文会议： 粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛暨2017年广东省真空学会学术年会论文集

会议日期： 2017-12-28

会议地点： 中国广东惠州

主办单位： 广东省科学技术协会

出版日期： 2017-12-28

作　　者： (）;

机构地区： 华南理工大学材料科学与工程学院

出　　处： 《粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛暨2017年广东省真空学会学术年会》

摘　　要： 采用常压化学气相沉积法(CVD)在铜箔表面制备石墨烯薄膜,并对生长石墨烯的铜箔进行不同条件的退火处理,研究经不同热处理后铜箔对相同条件下生长石墨烯导电性能的影响。实验结果用光学显微镜(OM)、背散射电子衍射(EBSD)、四探针方阻测试仪表征铜箔晶粒尺寸、铜(111)晶向的比例及石墨烯导电性。结果表明石墨烯其方阻值随着铜箔晶粒变大、表面晶粒位相转向(111),大体呈现下降趋势。但上述结构参量对石墨烯

关 键 词： 化学气相沉积 退火处理 晶粒尺寸 晶向

领　　域： []