中文会议： TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集

会议日期： 2017-08-19

会议地点： 中国安徽合肥

主办单位： 中国真空学会薄膜专业委员会

出版日期： 2017-08-19

作　　者： (）;

机构地区： 复旦大学材料科学系

出　　处： 《TFC’17全国薄膜技术学术研讨会》

摘　　要： 近年来,非晶氧化物半导体以其高载流子迁移率、高透光率、高均一性以及低温制备等优点,成为薄膜晶体管(TFT)重要的沟道层候选材料之一。其中,研究最广泛的a-IGZO-TFT已应用于工业化生产。由于a-IGZO对光照、水分、偏压、温度等均比较敏感,因此其稳定性的研究一直是热点之一。在TFT转移特性曲线中出现的异常'hump'现象能够影响像素的亮度,从而降低显示质量。本实验中,我们探究了via-type

领　　域： []