作　　者： (李华）; (刘炳灿）; (田强）;

机构地区： 装甲兵工程学院基础部,北京100072

出　　处： 《北京师范大学学报（自然科学版）》 2017年第4期395-398,共4页

摘　　要： 采用提出的等效方法,确定Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜的量子限制长度,在此基础上确定了GaAs薄膜的分数维,进一步利用分数维方法研究了Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜中的极化子特性. Within the framework of fractional-dimensional space approach, the effective length of quantum confinement is determined by an equivalent method. Result of binding energy and effective mass of a polaron confined in a GaAs film deposited on an AlxGa1-x substrate for different aluminum concentration at different values of film thickness have been investigated.

关 键 词： 有效量子限制长度 分数维方法 极化子 薄膜