作　　者： (李健康）; (童伟）; (沈宏昌）; (浦钰钤）; (曲俊达）;

机构地区： 南京电子器件研究所

出　　处： 《固体电子学研究与进展》

摘　　要： 采用SiGe BiCMOS工艺设计了一款大功率高效率硅基功率放大器芯片,用于驱动现有大功率GaN功率放大器芯片,满足相控阵雷达的低成本需求。该硅基功率放大器通过和低噪声放大器、驱动放大器、数控移相器、数控衰减器、单刀双掷开关、电源管理以及数字逻辑单元等硅基电路进一步集成,实现了一片式高集成度硅基幅相多功能芯片,从而降低了前端收发组件的尺寸和成本。在硅基功率放大器设计中,结合Stack结构、变压器耦合结构和有源偏置结构,开展电路设计及优化,提高了放大器的输出功率和效率。测试结果表明:研制的硅基功率放大器在Ku波段f1f2（3GHz带宽）频带内,实现了小信号增益31dB;在-3dBm输入功率条件下,实现发射功率21.5dBm、功率附加效率（PAE）25%等技术指标。集成功率放大器的幅相多功能芯片在f1f2（3GHz带宽）频带内,实现了发射通道增益24dB;在5dBm输入功率条件下发射功率21.5dBm、功率附加效率（PAE）23%等技术指标。

分 类 号： [TN722.75]