中文会议： 第十二届全国MOCVD学术会议论文集

会议日期： 2012-04-11

会议地点： 中国福建厦门

出版方 ： 中国有色金属学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 吉林大学电子科学与工程学院

出　　处： 《第十二届全国MOCVD学术会议》

摘　　要： <正>采用双卤钨灯金属有机化学气相沉积法(PA-MOCVD)在Si衬底上制备了NiO薄膜。XPS测试结果显示(图2),薄膜中Ni与O的化学元素比接近1:1。扫描电子显微镜(SEM)(图1)和X射线衍射(XRD)测试结果显示,随着卤钨灯电压的增加,即温度的升高,晶体质量得到了进一步的提高,并且NiO薄膜呈现(1 11)择优取向的趋势。紫外-可见分光光度计(UV)测试结果显示,随着温度的升高,NiO薄

分 类 号： [TN304.055]

领　　域： [电子电信]