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聚合物发光器件中缺陷态的行为表现

中文会议: 第九届全国发光学术会议摘要集

会议地点: 中国北京

出版方 : 中国物理学会发光分科学会、中国稀土学会发光专业委员会

作  者: ; ; ; ; ; ; ;

机构地区: 南开大学

出  处: 《第九届全国发光学术会议》

摘  要: 对聚合物发光二极管Ⅰ-Ⅴ特性的测量发现,无论是其特性曲线是按F-N模型还是按陷阱电荷限制电流(TCL)模型描述的器件,均发现这些器件中存在着与陷阱态休戚相关的行为表现。其中最为明显的是在被测器件内存在着类似于某些无机器件中的“负阻”和“迟滞回线”状的伏安特性,而且这些特性曲线呈现明显的可恢复的场致漂移现象。所谓“负阻”效应,是指在某个很窄的电压范围内电流增加而电压反而下降的现象。“迟滞”回线状伏安

分 类 号: [TN31]

领  域: [电子电信]

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相关机构对象

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