中文会议： 中国真空学会2014学术年会论文摘要集

会议日期： 2014-11-07

会议地点： 中国广东广州

出版方 ： 中国真空学会

作　　者： ; ; ; ; ; (张云姗）; (杨含或）; (朱茂东）;

机构地区： 深圳大学物理科学与技术学院

出　　处： 《中国真空学会2014学术年会》

摘　　要： 采用直流反应磁控溅射工艺制备了VO2薄膜。对比了在K9玻璃基底上,TiO2及V缓冲层对氧化钒薄膜的影响。XRD及光电特性测量结果都表明,添加TiO2缓冲层后需要薄膜沉积温度条件更加苛刻,但可以有效得减小VO2薄膜相变热滞宽度,增大相变幅度,生长出质量更好的VO2薄膜。另外,在几个原子层厚度的V单质缓冲层上生长VO2薄膜,V单质缓冲层可以有效地提高VO2薄膜结晶质量。

关 键 词： 薄膜 缓冲层半导体 金属相变 磁控溅射

分 类 号： [TB383.2]

领　　域： [一般工业技术]