中文会议： 中国真空学会2012学术年会论文摘要集

会议日期： 2012-09-21

会议地点： 中国甘肃兰州

出版方 ： 中国真空学会(Chinese Vacuum Society)

作　　者： ; ; ; ; ; ; (刘朋鹃）;

机构地区： 深圳大学物理科学与技术学院

出　　处： 《中国真空学会2012学术年会》

摘　　要： ZnO为直接带隙的半导体,室温下禁带宽度约为3.4eV,在可见光区透明,在光电子器件中有重要应用。掺杂可以调节ZnO的光、电及磁等性能。ZnO已被掺入Sn等杂质元素,但大多集中在包括纳米线及纳米棒等纳米结构上。溅射是一种重要的制备及掺杂薄膜的方法,目前没有见到共溅射制备Sn掺杂的ZnO膜(ZnO:Sn)的报道;另外,ZnO:Sn的热电性能也没有见到报道。我们采用共溅射的方法,以金属Zn(99.99

分 类 号： [TB383.2]

领　　域： [一般工业技术]