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基底温度对离子束溅射法制备AZO透明导电薄膜的影响

中文会议: TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集

会议日期: 2009-08-15

会议地点: 中国四川成都

出版方 : 中国真空学会薄膜专业委员会

作  者: ; ; ; ; ;

机构地区: 深圳大学物理科学与技术学院

出  处: 《TFC’09全国薄膜技术学术研讨会》

摘  要: <正>以ZnO(掺杂2%Al2O3)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在玻璃基底上成功制备了AZO薄膜透明导电薄膜。研究不同基底温度对AZO薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,沉积过程中基底温度对AZO薄膜的结构和光电性能有显著影响。X射线衍射(XRD)图谱显

分 类 号: [O484.1]

领  域: [理学] [理学]

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