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氮化铝单晶的偏振Raman光谱研究

中文会议: 第十七届全国光散射学术会议摘要文集

会议日期: 2013-10-19

会议地点: 中国陕西西安

出版方 : 中国物理学会光散射专业委员会

作  者: ; ; (李发帝); (郑瑞生);

机构地区: 深圳大学光电子学研究所

出  处: 《第十七届全国光散射学术会议》

摘  要: <正>氮化铝(AlN)可以实现波长短至210 nm的电致发光,能广泛地应用于数据存储、生物检测以及紫外杀菌等。近年来,不断提高的A1N单晶制备技术促进了A1N在以上应用中的迅速发展。本文利用激光共聚焦偏振Raman光谱研究了A1N晶体中A1(TO)光学声子的各向异性特征,并利用Raman选择定则推导出了光学声子的二阶Raman张量。使用物理气相传输(PVT)方法生长的AIN单晶样品如图1(a)所

分 类 号: [O614.31]

领  域: [理学] [理学]

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