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宽禁带MgxZn1-xO薄膜的制备和性能研究

中文会议: 第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期: 2008-11-30

会议地点: 中国广东广州

出版方 : 中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会

作  者: ; ; ; ; ; ;

机构地区: 深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室

出  处: 《第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议》

摘  要: 采用磁控溅射法,通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明,MgxZn1-xO薄膜在(0002)方向有明显的c轴择优取向。随着Mg原子含量的提高,薄膜由六角单相转化为六角相和立方相的混合相。MgxZn1-xO合金薄膜的透射谱表明,薄膜的透射率略有下降,但在可

关 键 词: 薄膜 射线衍射 透射光谱

分 类 号: [O484.41]

领  域: [理学] [理学]

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机构 吉林大学珠海学院
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