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纳米压印技术制作DFB半导体激光器

中文会议: 第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集

会议日期: 2011-11-10

会议地点: 湖北武汉

出版方 : 中国光学学会红外与光电器件专业委员会、中国光学光电子行业协会红外分会、中国电子学会量子电子学与光电子学分会、国家红外及工业电热产品质量监督检验中心、中国光学学会锦州分会、云南省光学学会、中国机械工程学会工业炉分会、中国电工技术学会电热专业委员会

作  者: ; ; (王智浩); (孙堂友); (周宁); (赵彦立); (徐志谋); (刘文);

机构地区: 华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家实验室

出  处: 《第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会》

摘  要: 分布反馈(DFB)半导体激光器是现代光通信系统及红外探测中核心光源器件,光栅的设计和制作是决定器件性能的关键因素之一。传统光栅制作方法中,双光束干涉曝光虽然具有生产效率高、成本低的优点,但其制作的光栅大面积均匀性较差、重复性不高;电子束光刻虽然具有精度高的优点,但其成本高产能低,不被光电子器件产业所接受。纳米压印兼具有精度高、成本低、生产效率高的优点,且可在同一衬底上一次制作出不同光栅周期。本研究

关 键 词: 纳米压印 衍射光栅 激光器 波段 瓦斯探测

分 类 号: [TN248.4]

领  域: [电子电信]

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