导　　师： 周军

授予学位： 博士

作　　者： ;

机构地区： 华中科技大学

摘　　要： 随着移动智能设备的快速发展,透明电极的市场迅猛增长。锡掺杂氧化铟(ITO)透明电极占据透明电极绝大部分的市场份额。但是,铟的稀缺导致ITO供应紧张。此外,ITO具有陶瓷材料的脆性,给电极制备及后处理工艺带来极大的不便。因此,人们致力研究新一代透明电极材料,如Ag纳米线、碳纳米管、石墨烯以及导电聚合物等。目前,由Ag纳米线制备的透明电极在相同透过率下的方阻最低,所以被认为是最有潜力的下一代透明电极。方阻和透过率是Ag纳米线透明电极的最重要的光电性能指标。人们普遍认为这些光电性能取决于Ag纳米线的长度和半径等

关 键 词： 透明电极 银纳米线 逾渗 自焊接 传感器

分 类 号： [TB383.1 TP212]

领　　域： [一般工业技术] [自动化与计算机技术] [自动化与计算机技术]