中文会议： 第五届全国青年印制电路学术年会论文集

会议日期： 2014-10-01

会议地点： 浙江余杭

主办单位： 中国电子学会电子制造与封装技术分会印制电路专委会

作　　者： ; ; (曹权根）; (谢金平）; (范小玲）;

机构地区： 广东工业大学轻工化工学院

出　　处： 《第五届全国青年印制电路学术年会》

摘　　要： 　　在四羟丙基乙二胺(THPED)—乙二胺四乙酸二钠(EDTA·2NA)化学镀铜体系中,考察了2,2’-联吡啶(BPY)、亚铁氰化钾、有机物M 和复合添加剂对化学镀铜的影响.实验结果表明,单一添加剂BPY和亚铁氰化钾均会降低沉积速率,但能改善镀层质量,有机物M能提高沉积速率；采用正交试验确定了复合添加剂的最佳配方为：BPY 10MG/L,K4FE(CN)65 MG/L,有机物M 20 MG/L.在适宜工艺条件下,镀速可达16.34UM/H,镀液稳定；施镀15MIN可沉积4.1UM铜,1H可沉积13.87UM,镀层光亮、平整细致,背光级数达到9级,满足工业生产要求.

关 键 词： 化学镀厚铜 四羟丙基乙二胺 沉积速率 复合添加剂 稳定性

分 类 号： [TG1 TP3]

领　　域： [金属学及工艺] [自动化与计算机技术]