中文会议： 2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议论文集

会议日期： 2014-07-21

会议地点： 湖南常德

主办单位： 中国电子学会微波分会,高功率微波技术重点实验室,天线与微波技术重点实验室

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; (李欧鹏）; (谷国华）;

机构地区： 电子科技大学

出　　处： 《2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议》

摘　　要： 　　本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 NM IN0.52AL0.48AS/IN0.53GA047A GAAS MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺.该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20UM,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHZ频带内,输入输出回波损耗均大于5DB,噪声系数小于5DB,增益大于17DB,带内增益平坦度小于1.5DB,W波段全频带内增益大于12DB.芯片面积为2.6MM× 1.6MM.

关 键 词： 低噪声放大器 波段

领　　域： [电子电信] [电子电信]