中文会议： 第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集

会议日期： 2012-09-01

会议地点： 成都

主办单位： 中国物理学会,中国核学会

作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 武汉大学物理科学与技术学院

出　　处： 《第十一届全国正电子湮没谱学会议》

摘　　要： 氧化锌( ZNO)半导体由于其广泛的用途受到越来越多的关注。然而,至今ZNO一些基本的性质还没有研究清楚,例如,N型导电以及P型ZNO稳定性等。第一性原理计算表明,在排除了本征缺陷(氧空位和锌填隙)的可能性外,氢(H)被认为是最有可能导致其N型导电的原因。目前,许多实验已经研究了ZNO在氢气氛下退火,氢等离子体处理以及氢离子注入等导致的缺陷与其性质之间的联系,然而,通过电化学充氢H和ZNO的相互作用却很少报道。另外,光电器件的制造过程中化学刻蚀也是关键的一步。本文采用慢正电子束技术,配合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等对比研究了ZN0单晶电化学充氢及腐蚀导致的微结构和缺陷的变化。

关 键 词： 氧化锌 氢 缺陷 微结构 慢正电子束

分 类 号： [TB3 TN1]

领　　域： [一般工业技术] [电子电信]