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文献详细Journal detailed

氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响

中文会议: 第九届全国光电技术学术交流会论文集

会议日期: 2010-05-01

会议地点: 北京

主办单位: 中国宇航学会,中国航空学会,中国兵工学会,中国光学学会,中国电子学会

作  者: ; ; ; ;

机构地区: 沈阳建筑大学交通与机械工程学院

出  处: 《第九届全国光电技术学术交流会》

摘  要: 采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZAO薄膜,研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的氧、氩分压制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率>85%,最低电阻率为4.5×10-4ΩCM的ZAO薄膜,其光电性能均满足应用需求.

分 类 号: [O48 TB3]

领  域: [理学] [理学] [一般工业技术]

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