中文会议： 2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会论文集

会议日期： 2010-11-01

会议地点： 张家界

主办单位： 中国电子学会,广东省电子学会,广东省仪器仪表学会

作　　者： ; ; ; ; ; (李方建）;

机构地区： 信息产业部电子第五研究所

出　　处： 《2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会》

摘　　要： 本文采用带动态反应池的电感耦合等离子体质谱(DRC—ICP—MS)技术快速、准确地测定了微电子工业用半导体级磷酸样品中的痕量元素。在用常规的ICP—MS测量半导体级磷酸中痕量元素的过程申，会产生多原子离子干扰，如38ARH、40AR、31P16OH、40AR16O、31P16O16O、31P16O16OH、40AR31P、40AR18O等多原子离子会对39K、40CA、48TI、56FE、63CU、64ZN、58NI的测定产生干扰。DRC-ICP-MS利用氨气(NH3)作为进入腔体的反应气与干扰离子产生气相化学反应，生成其它质量数的非干扰物，从而消除了磷酸基体及氩气对待测元素的干扰。本实验优化了反应气NH3的最佳流量。研究表明采用动态反应池技术能有效消除干扰，方法检出限为0．2—460NG/L,长时问相对标准偏差(RSD)小于4％，回收率在90％-110％。

分 类 号： [O65 O64]

领　　域： [理学] [理学] [理学] [理学]