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低磁场条件下GD5(SI1-XGEX)4(X=0,0.2,0.3)合金磁热效应研究

中文会议: 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集

会议日期: 2007-11-15

会议地点: 武汉

主办单位: 中国仪器仪表学会,中国物理学会,中国光学学会

出版方 : 重庆仪器材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料分会、国家仪表功能材料工程技术研究中心

作  者: ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区: 广东海洋大学工程学院

出  处: 《第六届中国功能材料及其应用学术会议》

摘  要: 用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了GD5(SI1-XGEX)4(X=0,0.2,0.3)系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(△TAB-T)。结果表明,用元素GE分别替代GD5SI4合金中的SI原子,不能增强合金的磁热效应,但可在333~300K范围改变材料的居里温度,且磁热效应峰值范围变宽.

关 键 词: 稀土金属合金 磁热效应 磁致冷材料 低磁场条件

分 类 号: [T]

领  域: [一般工业技术]

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