帮助 本站公告
您现在所在的位置:网站首页 > 知识中心 > 文献详情
文献详细Journal detailed

脉冲激光沉积法在SI基片上生长BNT铁电多层薄膜

中文会议: 第二届中国可信计算与信息安全学术会议论文集

会议日期: 2006-10-21

会议地点: 河北保定

主办单位: 中国计算机学会,河北大学

作  者: ; ; ; ; ; ;

机构地区: 武汉大学物理科学与技术学院

出  处: 《第二届中国可信计算与信息安全学术会议》

摘  要: 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在SI(100)基片上直接制备了C轴一致取向的LSCO(LA0.5S0.5COO3)电极层和BI3.15ND0.85TI3O12(BNT)铁电薄膜,并利用X-射线衍射、扫描电镜分析测定了薄膜的相结构、取向和形貌特征;利用高频阻抗分析仪和多功能铁电仪研究了其铁电特性.另外,还考察了沉积温度和氧压对BNT薄膜微结构、取向、形貌和铁电特性的影响,优化了BNT薄膜的沉积条件.在优化条件下制备得到的BNT薄膜的C-V曲线具有典型的蝴蝶形特征.由其P-E电滞回线测试得其剩余极化强度为2PR=32.6μC/CM2,矫顽电场为2EC=69KV/CM,表明该薄膜具有较好的电极化反转存储特性.

关 键 词: 铁电性 无缓冲层 脉冲激光沉积技术

分 类 号: [T]

领  域: [一般工业技术]

相关作者

相关机构对象

相关领域作者

作者 许治
作者 万良勇
作者 宋舒
作者 黄佑军
作者 王应密