中文会议： 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2008-11-30

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会,广州市科协

出版方 ： 中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室

出　　处： 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 采用磁控溅射技术,制备了CO掺杂ZNO薄膜,然后将样品分别在O2和N2气氛下,以不同的温度进行退火处理；用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度较低(<300℃)的时候,电阻稍有下降；当温度升高到400℃时,电阻大幅度上升,而且O2气氛下退火的比N2气氛下退火的升高幅度大得多。同一温度下,样品在O2气氛下退火的最大磁化强度比在N2气氛下退火的要低；同一退火气氛下,样品的最人磁化强度随退火温度的升高而降低。我们认为,这是由于不同气氛和温度下退火时,薄膜中氧空位浓度发生变化,从而导致其电磁性能的差异。

关 键 词： 磁控溅射 氧化锌薄膜 电磁性能 退火处理 方块电阻

分 类 号： [T]

领　　域： [一般工业技术]