中文会议： 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2008-11-30

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会,广州市科协

出版方 ： 中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 深圳大学材料学院

出　　处： 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 采用磁控溅射法,在硅和玻璃基片上制备了AZO(ZNO:AL)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、紫外/可见光分光光度计、荧光光谱仪和四极探针等仪器,研究了AL浓度对薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明：AZO薄膜为纤锌矿结构且呈C轴择优取向,随着AL浓度的增加,(002)衍射峰强度逐渐减弱；在掺AL浓度小于4WT％时,薄膜在可见光范围内的平均透射率大于80％,方块电阻最小值达到514Ω／□,热稳定性小于20％；在室温下,观察到近带边发光蜂和绿光发光带。

关 键 词： 光电特性 磁控溅射法 导电薄膜 透明薄膜 微观结构

领　　域： [一般工业技术]