中文会议： 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2008-11-30

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会,广州市科协

作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室

出　　处： 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 采用磁控溅射法、通过ZNO陶瓷靶和MG金属靶在石英衬底上制备了MGXZN1-XO薄膜。研究了MG原子含量对MGXZN1-XO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明：MGXZN1-XO薄膜在(0002)方向有明显的C轴择优取向；随着MG原子含量的提高,薄膜由六角单相转化为六角相和立方相的混合相：MGXZN1-XO合金薄膜的透射谱表明：随着MG原子含量的增加,薄膜的透射率略有下降,但在可见光区域的平均透射率仍大于85％；随着MG原子含量的增加,吸收边逐渐蓝移,最短的吸收边为283NM。能隙宽度图表明：随着MG原子含量的提高,MGXZN1-XO薄膜的能隙宽度从3.36 EV增加到4.27 EV。

关 键 词： 射线衍射 透射光谱 磁控溅射法 光学性能 薄膜结构 能隙宽度

分 类 号： [T]

领　　域： [一般工业技术]