中文会议： 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2008-11-30

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会,广州市科协

出版方 ： 中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会

作　　者： ; ; ;

机构地区： 深圳大学光电工程学院

出　　处： 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 保温材料是影响高温气相法生长氮化铝晶体的主要素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备氮化铝最常用的保温材料,但是存在易引入碳杂质、减少坩埚寿命等缺点。本文采用不添加任何添加剂氮化铝粉体制作了高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料,并与石墨保温材料进行对比研究发现：氮化铝保温材料具有耐高温、对钨坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料；但是,与石墨保温材料相比,氮化铝也存在热导率相对较高、存高温过程中氮化铝粉体会出现少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策。

关 键 词： 氮化铝 高温气相法 保温材料 晶体生长

分 类 号： [T]

领　　域： [一般工业技术]