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衬底温度对Cd<,x>Nn<,1-x>Te外延层中Cd组分含量的影响

中文会议: 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集

会议日期: 2001-10-01

会议地点: 厦门

主办单位: 中国仪器仪表学会

作  者: ; ; ; ; ; ;

机构地区: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

出  处: 《第四届中国功能材料及其应用学术会议》

摘  要: 以二甲基锌、二甲基镉和二乙基碲为原料,借助于低压金属有机物气相外延设备(LP-MOVPE),在(100)GaAs衬底上生长了不同组分的Cd<,x>Nn<,1-x>Te外延层.分别用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)对外延层质量进行了表征.结果表明,在固定三种反应物流量不变的情况下,随着衬底温度升高,外延层中Cd组分含量单调递减.这一现象的起因被归结为反应物分子在吸附和脱附性质上的差异.

关 键 词: 衬底温度 组分 吸附 脱附 发光材料

分 类 号: [TB]

领  域: [一般工业技术]

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