中文会议： 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集

会议日期： 2001-10-01

会议地点： 厦门

主办单位： 中国仪器仪表学会

出版方 ： 中国仪器仪表学会

出版日期： 2001-10-01

出版地： 北京

作　　者： ; ; ;

机构地区： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

出　　处： 《第四届中国功能材料及其应用学术会议》

摘　　要： 我们采用S-K生长模式,在GaAs(110)衬底上生长了ZnCdSe-ZnSe量子点结构(QDS)材料,并研究了这种结构的发光特性.在低温,观测到6个发射带,它们分别被归结为来自1、2个单原子层(ML)的浸润层量子阱的激子发光与发射1和2个LO声子的2ML浸润层量子阱的激子辐射复合以及ZnCdSe量子点和垒层中的激子发光.随着温度的升高,浸润层量子阱中的激子发光逐渐淬灭,而发射两个LO声子的2ML浸润层量子阱的激子辐射复合与ZnCdSe量子点的发光则持续到室温.

关 键 词： 族半导体 纳米结构 量子点 光学性质 发光

领　　域： [电子电信] [一般工业技术]