中文会议： 全国第二届纳米材料和技术应用会议论文集

会议日期： 2001-05-21

会议地点： 杭州

主办单位： 中国材料研究会

出版方 ： 中国材料研究会

出版日期： 2001-05-21

出版地： 北京

作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 广东工业大学应用物理系

出　　处： 《全国第二届纳米材料和技术应用会议》

摘　　要： 本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜,X-射线,紫外可见光吸收和电阻的测量结果,显示薄膜为纳米级颗粒组成,掺锡前后基本结构不变;掺锡后紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰显著下降,且三个峰位都有微小红移;电阻随温度增加而呈指数衰减,呈半导体型,霍尔效应证实为N型半导体.

关 键 词： 锡掺杂 紫外可见光吸收 电阻 薄膜

分 类 号： [TN304.055]

领　　域： [电子电信]