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文献详细Journal detailed

锰氧化物薄膜中的氧含量效应与应变效应研究

中文会议: 第六届国内外磁学与磁性材料发展及应用技术交流会论文集

会议日期: 2003-02-20

会议地点: 海南博鳌

主办单位: 中国电子学会

出版日期: 2003-02-01

出版地: 北京

作  者: ; ; ; ; ;

机构地区: 香港中文大学

出  处: 《第六届国内外磁学与磁性材料发展及应用技术交流会》

摘  要: 钙钛矿结构锰氧化物有两个特点,一是大的磁电阻效应,二是大的电子自旋极化率.本文研究体材料的氧含量效应和应变效应.

关 键 词: 锰氧化物薄膜 氧含量效应 应变效应 磁电阻效应

领  域: [一般工业技术] [电气工程] [一般工业技术] [理学] [理学]

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