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化学气相沉积法无催化制备定向生长硅纳米棒

中文会议: 第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集

会议日期: 2000-10-31

会议地点: 厦门

主办单位: 中国电子学会

出版方 : 中国电子学会

出版日期: 2000-10-31

出版地: 北京

作  者: ; ; ; ; ; ;

机构地区: 中国科学院物理研究所

出  处: 《第一届全国纳米技术与应用学术会议》

摘  要: 利用化学气相沉积法在经过稀释HF处理的SiO<,2>/Si片上,制备出定向生工的硅纳米棒。利用场发射扫描电子显微镜和高分辨透射电镜对样品的表面形貌和结构进行观测。结果表明:在衬底生长出直径为300nm、长度达几个微米的定向生长的硅纳米棒;这些纳米棒为多晶态。讨论了无催化生长定向硅纳米棒的生长机理。

关 键 词: 化学气相沉积法 硅纳米棒 团簇

分 类 号: [TN304.12]

领  域: [电子电信]

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