中文会议： 中国电子学会可靠性学会第十届学术年会论文集

会议日期： 2000-09-30

会议地点： 大同

主办单位： 中国电子学会

出版方 ： 中国电子学会

出版日期： 2000-09-30

出版地： 北京

作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 信息产业部电子第五研究所

出　　处： 《中国电子学会可靠性分会第十届学术年会》

摘　　要： 该文中描述了一种典型的MOSFET可靠性模拟软件，软件中不仅包括针对N型和P型MOSFET器件中热载流子效应、TDDB效应以及电迁移效应的单一机理软件件模块，而且还包括热载流子效应和TDDB效应的综合模拟以及上述三种失效机理的综合模拟模块。

关 键 词： 器件 可靠性模拟 综合模拟 热载流子效应

分 类 号： [TN306]

领　　域： [电子电信]