中文会议： 材料研究与应用新进展(上卷)

会议日期： 1998-12-20

会议地点： 北京

主办单位： 中国材料研究会

出版方 ： 化学工业出版社

出版日期： 1998-11-30

出版地： 北京

作　　者： ; ; ;

机构地区： 中国科学院金属研究所

出　　处： 《1998年中国材料研讨会》

摘　　要： 该文利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶在未加热的聚脂膜、玻璃和硅衬底上制备了ＩＴＯ透明导电薄膜。研究了氧分压和沉积时间对薄膜结构和电光特性的影响。结果表明，不同衬底上的ＩＴＯ薄膜均出现晶格膨胀；在相同条件下聚脂膜上制备的ＩＴＯ薄膜电阻率远小于在玻璃和硅衬底上薄膜的电阻率，且对应低电阻率的反应窗口拓宽，其最低电阻率可达到４．２３×１０〈’－４〉Ω．ｃｍ。聚脂膜上可见光区（５５０ｎｍ）的透射率可达８０℅，而在玻璃上则可达８８℅以上。

关 键 词： 磁控溅射 导电薄膜 透明导电薄膜

分 类 号： [TB3 TM24]

领　　域： [一般工业技术] [电气工程] [一般工业技术]