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La<,0.7>Ce<,0.3>3、4、5MnO<,3>薄膜中的霍尔效应

中文会议: 第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集

会议日期: 2004-05-27

会议地点: 天津

主办单位: 中国物理学会;中国电子学会

出版日期: 2004-05-27

出版地: 北京

作  者: ; ; ; ; ;

机构地区: 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室

出  处: 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》

摘  要: 用脉冲激光沉淀法制备了La<,0.7>Ce<,0.3>MnO<,3>薄膜,测量了霍尔效应.发现正常霍尔效应具有正的霍尔系数,说明在该体系中的载流子是空穴.

关 键 词: 锰氧化物薄膜 霍尔效应 脉冲激光沉淀法

分 类 号: [TN304.055]

领  域: [电子电信]

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