会议日期： 2004-04-14

会议地点： 杭州

主办单位： 中国光学学会；浙江省光学会；浙江大学

出版日期： 2004-04-14

作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 吉林大学

出　　处： 《中国光学学会2004年学术大会》

摘　　要： 在这个研究中,我们采用并五苯作有源层、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）做栅绝缘层，利用全蒸镀法制备了有机薄膜场效应晶体管。源极和漏极采用氧化铟锡，半导体层和绝缘层分别由并五苯和PMMA充当，栅极采用铝电极。利用光刻制备沟道长度为20微米的源极和漏极后，依次真空沉积并五苯和PMMA和铝电极。得到器件的电子迁移率为0.167cm2/Vs。

关 键 词： 有机薄膜场效应晶体管 全蒸镀法 光刻制备

分 类 号： [TN321.5]

领　　域： [电子电信]