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非晶金刚石薄膜场致诱导相变阶越增强电子发射机理

中文会议: 第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议论文集

会议日期: 2001-07-16

会议地点: 西安

主办单位: 中国电子学会

作  者: ; ; ; ;

机构地区: 中山大学

出  处: 《第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议》

摘  要: 作者通过反复实验和比较分析,在非晶金刚石薄膜发射实验中首次得到晶格水平的相变数据,并提出了场致诱导相变阶越增强电子发射机理.

关 键 词: 非晶金刚石薄膜 场致发射 相变

领  域: [电子电信]

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