中文会议： 中国第七届光伏会议论文集

会议日期： 2002-10-23

会议地点： 杭州

主办单位： 中国太阳能学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ; (五邑大学薄膜与纳米材料研究所）;

机构地区： 南开大学

出　　处： 《中国第七届光伏会议》

摘　　要： 本文对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积的氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)中的氧污染问题进行了比较研究.通过等离子体辉光的光发射谱(OES)测量,监测了不同沉积条件下的氧污染程度.X光电子能谱(XPS)与傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR)测量结果表明:μc-Si:H薄膜中,氧以Si-O、O-O以及O-H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机制.μc-Si:H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc-Si:H薄膜的结构特性与电学特性产生显著的影响;氧污染对于μc-Si:H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.

关 键 词： 氢化微晶硅薄膜 化学气相沉积 光发射谱 氧污染 薄膜制备

领　　域： [电子电信]