中文会议： 中国第七届光伏会议论文集

会议日期： 2002-10-23

会议地点： 杭州

主办单位： 中国太阳能学会

作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 云南师范大学能源与环境科学学院太阳能研究所

出　　处： 《中国第七届光伏会议》

摘　　要： 本文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件;源温为900~930℃,衬底温度为500℃.

关 键 词： 导电玻璃 太阳电池 薄膜材料 薄膜 热壁外延生长 薄膜制备

领　　域： [电子电信]