中文会议： 第十一届全国磁学和磁性材料会议论文集

会议日期： 2002-11-05

会议地点： 长沙

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室

出　　处： 《第十一届全国磁学和磁性材料会议》

摘　　要： 结合内转换电子Mossbauer谱(CEMS)和微磁学模拟对直径为60nm和300nm的铁纳米线阵列进行了端面磁矩分布鞋的研究.内转换电子Mossbauer谱观察表明,位于纳米线阵列端面,磁矩偏离纳米线的长轴方向分布,而且直径越大,平均偏角也增大.另外,用微磁学模拟方法对不同深度的磁矩分布做了数值统计,结果表明,越趋近两端,平均磁矩与纳米线轴的夹角越大,同时和实验结果吻合得很好.

关 键 词： 铁纳米线阵列 复合结构 磁各向异性 磁记录介质 磁矩分布

领　　域： [化学工程]