帮助 本站公告
您现在所在的位置:网站首页 > 知识中心 > 文献详情
文献详细Journal detailed

新型MIp<'+>-Al<,0.3>Ga<,0.7>As/p-n-n<'+>-GaAs太阳电池的设计与I-V特性理论分析

中文会议: 中国工程热物理学会工程热力学与能源利用学术会议论文集

会议日期: 2003-10-01

会议地点: 上海

主办单位: 中国工程热物理学会

作  者: ; ; ;

机构地区: 云南师范大学能源与环境科学学院太阳能研究所

出  处: 《中国工程热物理学会工程热力学与能源利用学术会议》

摘  要: 为充分利用太阳光的短波部分,将Al<,x>Ga<,1-x>As设计为电池的又一个光伏工作层,并引入固定负电荷,建立界面感应势垒,形成MIp<'+>-AlGaAs感应结,有效降低界面对光生电子的复合.以制作工艺简单的p<'+>-AaGaAs/p-GaAs界面,将感应结与p/n-GaAs部分连接起来,构成新型高效率复合结构MIp<'+>-Al<,0.3>Ga<,0.7>As/p-n-n<'+>-GaAs太阳电池.其I-V特性理论研究结果表明,选择合适的负电荷面密度数和Al<,0.3>Ga<,0.7>As层的掺杂浓度,即:建立合适高度的感应势垒,可显著降低界面复合速度近8个数量级.优化设计得到的整个电池的效率为31.5%,较传统的窗口层电池有明显提高.

关 键 词: 太阳电池 固定负电荷 感应势垒 特性 光伏材料

领  域: [电气工程]

相关作者

相关机构对象

相关领域作者

作者 王珺
作者 刘洋
作者 张光宇
作者 叶飞
作者 周永务