中文会议: 2004年全国光电技术学术交流会论文集(上)
会议日期: 2004-10-01
会议地点: 福建厦门
主办单位: 中国宇航学会
机构地区: 华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
出 处: 《2004年全国光电技术学术交流会》
摘 要: 以Pb(OOCCH3)2·3H2O、Sc(OOCCH3)3·XH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,乙二醇甲醚为溶剂,用Sol-Gel方法在Pt/Ti/SO2/Si(100)基片上成功地制备出厚度迭1.5μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(220)主晶向生长的PST薄膜分别在10~20min、650~800℃范围内进行热处理,结果表明:热处理温度在750℃时,PST薄膜转变为较为完整的ABO3型钙钛矿晶相结构,更高的温度将提高晶粒在(220)方向的取向度.实验发现,最佳热处理条件应为750℃×15min,该条件下制备的PST铁电薄膜呈蓝黑色,表面光亮。
分 类 号: [TM]
领 域: [电气工程]