中文会议： 第五届全国夜视技术交流会暨2005年全国瞬态光学与光子技术交流会会议论文集

会议日期： 2005-10-01

会议地点： 云南西双版纳

主办单位： 中国兵工学会

作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 昆明物理研究所

出　　处： 《第五届全国夜视技术交流会暨2005年全国瞬态光学与光电子技术交流会》

摘　　要： 采用射频磁控溅射方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出厚450nm的PZT铁电薄膜.在550℃、600℃、650℃和700℃下对PZT铁电薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射和原子力显微镜研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、表面形貌和热释电性能.PZT铁电薄膜在600℃快速退火后,已经形成完整的钙钛矿相结构、薄膜晶粒均匀、表面平整.在650℃快速退后PZT铁电薄膜具有较好的热释电性能,热释电系数达1.5×10-8C.cm-2.k-1.得出650℃为PZT铁电薄膜的最佳退火温度.

关 键 词： 锆钛酸铅 铁电薄膜 快速退火 射线衍射 原子力显微镜 热释电性能

领　　域： [电气工程]