中文会议： 四川大学学报(自然科学版)

会议日期： 2005-10-24

会议地点： 成都

主办单位： 中国物理学会

作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 中山大学物理科学与工程技术学院物理系

出　　处： 《第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议》

摘　　要： 测量了经18年自然老化后的TGS单晶的微分电滞回线,发现回线的形状与未老化的样品类似,故称其为隐性老化.老化的样品经热处理后,回线峰位,峰高出现显著变化,甚至出现双峰,表现出明显的老化特性,隐性老化被显性化了.老化的原因可归结为环境空气中的水分子吸附在晶片四周表面上,使晶体有些微区水解形成缺陷;以及这些缺陷向晶体内的扩散.

关 键 词： 铁电老化 单晶 历史记忆效应 微分电滞回线 晶体缺陷

领　　域： [电气工程]