中文会议： 第八届真空技术应用学术年会论文集

会议日期： 2005-04-01

会议地点： 厦门

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ;

机构地区： 昆明物理研究所

出　　处： 《第八届真空技术应用学术年会》

摘　　要： 在SiO2/Si衬底上采用直流磁控溅射沉积复合金属薄膜Pt/Ti作为电极,薄膜电导率高,结构致密且表面无空洞等缺陷;在Pt/Ti/SiO2/Si结构衬底上采用射频磁控溅射沉积锆钛酸铅薄膜(Pb(Zr1-xTix)O3,PZT),经退火后结晶形成具有热释电性质的钙钛矿结构薄膜,热释电系数达到1.1531×10-8Ccm-2k-1.

关 键 词： 直流磁控溅射 薄膜 铂 钛复合金属薄膜 射线衍射 原子力显微镜 射频磁控溅射

领　　域： [电气工程]