中文会议：
2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集
会议日期：
2005-10-01
会议地点：
温州
主办单位：
中国电子学会
作 者：
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机构地区：
华南理工大学
出 处：
《2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会》
摘 要：
本文根据国外的参考文献上的实验模型和实验结果,对目前国内较新的SOI/SDB双极型晶体管进行可靠性评价实验,通过对反偏集电极电流IC,反偏基极电流IR,正偏输出特性下的基极电流IB和电流放大倍数β的测量,找出β和时间t之间的关系,从而推算出在各个偏压下,晶体管的使用寿命和β随时间变化的情况,并且建立了初步的模型.
关 键 词：
电子元件
双极晶体管
可靠性评价
领 域：
[电子电信]
