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射频溅射法制备纳米SiC薄膜的电学和光学性质研究

中文会议: 2006北京国际材料周暨中国材料研讨会

会议日期: 2006-09-01

会议地点: 北京

主办单位: 中国材料研究学会

作  者: ; ; ; ; ; ;

机构地区: 兰州大学物理科学与技术学院

出  处: 《2006北京国际材料周暨中国材料研讨会》

摘  要: 利用磁控射频溅射法在石英衬底上制备了纳米SiC薄膜.研究了衬底温度对薄膜的结构,电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)与原子力显微镜(AFM)结果表明,衬底温度为700℃时制备的薄膜是由平均直径为70nm结晶状态良好的4H-SiC纳米颗粒组成.实验测量了样品的电导率随温度的变化关系,并计算出相应的电导激活能.利用紫外-可见分光光度计研究了衬底温度对薄膜光学性能的影响,结果表明纳米SiC薄膜的光学带隙可以通过改变衬底温度来调节.这种带隙可调的纳米SiC薄膜在未来的光电器件应用领域将会有一定的实用价值.

关 键 词: 磁控射频溅射法 纳米 薄膜 电导率 透过谱 光学性质

领  域: [电子电信]

相关作者

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相关机构对象

机构 中山大学人文科学学院中文系
机构 华南师范大学化学与环境学院
机构 华南理工大学
机构 嘉应学院

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