中文会议： 中国太阳能光伏进展

会议日期： 2006-11-01

会议地点： 成都

主办单位： 中国可再生能源学会

作　　者： ; ;

机构地区： 华南师范大学光电子材料与技术研究所

出　　处： 《第九届中国太阳能光伏会议》

摘　　要： 研究表明:InGaN材料系能作为获得高效率太阳能电池的材料,用串联和量子阱结构可以实现高转换效率问题.设计InGaN的p-i-n和量子阱太阳能电池,用MOCVD生长并制作成台面式器件.高In组分的InGaN太阳能电池由两个结构构成:一个是把高In组分的InGaN并入p-i-n太阳能电池的i区,另一个是把高In组分的InGaN并入量子阱器件的阱区..低In组分的In0.07Ga0.93Np-i-n器件结构的太阳能电池显示了19﹪的内部量子效率和在500nm处的光发射,证实了该材料在光伏应用中具有稳定性.

关 键 词： 太阳能电池 量子阱 带隙 光伏器件

领　　域： [电气工程]