中文会议： 2006第五届中国（国际）纳米科技西安研讨会论文集

会议日期： 2006-09-10

会议地点： 西安

主办单位： 中国微纳米技术学会

作　　者： ; ; ;

机构地区： 五邑大学应用物理与材料学院薄膜与纳米材料研究所

出　　处： 《2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会》

摘　　要： 应用射频磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散,使ZnO薄膜从本征n型转化为p型.接着,在此p型ZnO薄膜上沉积本征n型ZnO,形成了同质ZnO p-n结.X射线衍射、光致荧光光谱的试验结果表明,P型ZnO薄膜的晶体呈六方纤锌矿结构,且高度C轴取向、近带隙(3.28eV)紫外发射相当强.异质和同质p-n结的明显电学整流特性确认了p型ZnO薄膜的形成.

关 键 词： 硅衬底 氧化锌薄膜 射频磁控溅射 晶体结构 磷扩散法 结

领　　域： [电子电信]