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文献详细Journal detailed

掺杂对C12H8N2电荷分布和成键特性的影响

中文会议: 功能材料

会议日期: 2006-07-24

会议地点: 敦煌

主办单位: 中国仪器仪表学会

出版方 : 中国仪器仪表学会仪表材料分会

作  者: ; ; ; ; ;

机构地区: 重庆邮电大学光电工程学院

出  处: 《2006年全国功能材料学术年会》

摘  要: 通过基于密度泛函理论的Hartree-Fock模型,设计并优化了C12H8N2、C11SiH8N2和C10Si2H8N2.详细研究了掺Si对C12H8N2电荷分布和成键特性的影响.结果表明,掺不同含量的Si对C12H8N2的电荷分布、成键特性和发光性能有不同的影响,掺少量的Si更有利于改善C12H8N2的发光性能。

关 键 词: 有机发光材料 掺杂 电荷分布 密度泛函理论 发光性能

分 类 号: [TB]

领  域: [一般工业技术]

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