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脉冲偏压电弧离子镀基础问题及应用研究

中文会议: TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文集

会议日期: 2007-08-01

会议地点: 兰州

主办单位: 中国真空学会

作  者: ; ; ; ;

机构地区: 大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室

出  处: 《TFC'07全国薄膜技术学术研讨会》

摘  要: 本文对脉冲偏压电弧离子镀基础问题进行了研究。结果表明,把脉冲偏压引入电弧离子镀工艺保持了其原有的高离化率、高沉积速率、成膜致密等优点,与传统的直流偏压相比,脉冲偏压引入频率和占空比两个控制变量,对成膜过程有更好的可控性,

关 键 词: 离子镀层 离子沉积 脉冲偏压 离子镀工艺

分 类 号: [TG]

领  域: [金属学及工艺]

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